玄箱Pro、直します。

超初心者が、玄箱PROでLinuxを勉強する無謀なブログです。

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夏休みが始まったの。

我が家の娘(小3)は今日から夏休みスタート。
早速ダラケてます。
家で弟とDSやって盛り上がっています。

いいのか、それで!

ほら、絵日記とか読書感想文とか自由研究とかあるっしょ。
雲の観察とか紙粘土の貯金箱とか、何万人という子どもたちがやったであろうあれらをやらなくていいのか?
いやのんびりしてるのが妬ましいだけですけどね。

僕らの頃は計算ドリルが1冊丸ごと、読書感想文、日記、フリーテーマで水彩画、自由研究、工作など、今思えばわくわくするような宿題ばかりだったなぁ。
6年間1度もまともに完了したことないけどさww

計画を立ててコツコツやるか、最終日近くで爆走するか、ここいらで人生の毛色が決まる。
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こんなこと言えた義理ではありませんが。

すみません。
また超ブランクでの投稿です。

そして、コメントの承認という作業があったことを完っ全に忘れておりまして、1年前のコメントなどの承認を今頃やってしまっています。
質問やお言葉をかけていただいた方々、本当に申し訳ございませんでした。
もう「ブログをやっている」と言えるような管理じゃないですね・・。

さらに、いまだLinuxの勉強に戻れる見込みがありません。

自宅のコンピュータ環境の大幅な見直しをしており、それが落ち着くまで、と思いつつ早1年。

と、言い訳がましいですが、ひとまず報告までです。

皆様、いろいろと温かいお言葉ありがとうございました。
来年も皆様にとりまして素晴らしい年になりますことをお祈りしております。
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3年ぶり・・ですか?

AEROCATS生きてます。
もう玄箱とかそんな次元には生きてなかったですけど。

転職のバタバタでLINUXのLの字も触っていなかった3年間を、もう一度イチからやり直してみます。

まずは2年間放りっぱなしの玄箱PROを見つけ出して、電源を入れてみるところから・・ですがw


てか誰も見てないだろww
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CPUの創りかた


表紙や中身のカットはおよそタイトルと似つかわしくないものですが、「とにかくCPUの原理を知りたい」という方にはうってつけの良書です。
実際にCPUを作ってしまうこともできるようですが、私には意味がないので作ってはいません(笑)。

作ろうとしているCPUは4bitの処理能力を持つ最弱のCPUですが、レジスタ、プログラムカウンタ、ALU、ROM、インストラクションデコーダなどの基本的な理解には十分すぎる内容です。
5回ほど通して読んでやっと理解できたと思います。

もちろん、販売されているCPUとは比較にもなりませんし、この本で玄箱PROのARMを知ることは不可能です。
とにかく私のように「コンピュータが知りたい」という初心者向けです。
くれぐれも、玄箱PROとは関係ありません(笑)。
「パイプライン」や「ハーバードアーキテクチャー」などには触れられていませんし・・・。

「アドレス空間」とか「処理bit」とか、コンピュータに触れていると耳に入ってくる基本用語の意味、動作を知りたい、という方、ぜひご一読ください。
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NANDフラッシュ

NANDフラッシュの仕組みを調べています。
「ページ単位」とか「ブロック単位」というのがどこから出てくるのか知りたいので、いろいろと参考にさせてもらってます。

メモリセル個別の概略は理解できましたが、全然わからないのが全体で考えたときです。

・ページという単位はビット・ワード線で言えばどういう関係なのか
・ブロックという単位はビット・ワード線で言えばどういう関係なのか
・ソース/ドレインは同一ビット線上の各メモリセルで連続しているのか
・選択トランジスタで挟まれたワード線の本数

東芝の論文や各大学の研究資料にも目を通しましたがわかりません。
てか玄箱関係ないやん(笑)。

ビット線で信号をセンスするのであれば、ビット線で一度に扱える電流は「0」か「1」かしかないと思うのです。
書き込みの際はコントロールゲートであるワード線電圧のH・Lで任意のフローティングゲートに電子を取り込むことが一度にできるのはわかるのですが、「読み込みもページ単位」という箇所が理解できません。

ひょっとしてワード線ごとに電圧の昇降を操作して、一つずつ読み出してページバッファしているのだろうか・・。
だから「読み出しに時間がかかる」わけかな?

いやいや。
書きながらワケがわからなくなってきた。

(2008.2.20追記)
図にして理解に努めました。

1.書き込みの際
複数のビット線に対して1本のワード線で同時に1ページ(16896ビット)分のデータを記録します。

n_w.jpg

・選択トランジスタに4.5V
・書き込み対象メモリセルのソース/ドレインをグラウンド
・それ以外のソース/ドレインに3.3V
・該当ページのワード線に18V


2.読み込みの際
書き込み時と同様、複数のビット線に対して1本のワード線で同時に1ページ(16896ビット)分のデータを読み出します。

n_r.jpg

・選択トランジスタに4.5V
・該当ページ以外のワード線にも4.5V(該当ページのワード線はグラウンド)


3.消去の際
ソース/ドレインに高電圧をかけるため、どうしても複数のワード線(ページ)をまたぐ格好になる。
選択トランジスタが囲む範囲のソース/ドレインにしか影響を及ぼさないので、その範囲を64本分のワード線にしたのかな・・。

n_d.jpg

・選択トランジスタに4.5V(64本のワード線を囲む)
・ブロック内ワード線(64本)はグラウンド
・全ソース/ドレインに20V


これでつじつまが合いそうな気がしています。
ただ、「読み込ませない」「書き込ませない」というセルに絡むソース/ドレインやワード線に電圧かけるのって・・スマートじゃない気が。
また違うのかな・・もう少し研究します。

(2008.2.20追記2)
いろいろと見当違いな事を書いていたようです。

まず、各動作時の各電圧はもっともーーーーーっと難しい技術が必要なようで、図中にある数字はほぼ不正確です。
基本原理は合っている気がしますが、日本語を含むどの言語の読解力にも自信がありませんので断言できません(笑)。
ディスターブモードやフローティング各方式が難しすぎて理解できていないことが原因です。

次に「読み込みには時間がかかる」という件。
NORフラッシュはDRAM同様のマトリックス状にメモリセルを配置・接続しているため、ビットごとのランダムな読み出しに対応しています。
具体的には、読み出したいメモリセルの選択トランジスタをH、ワード線もHにすれば1ビットがセンスできます。

対してNANDフラッシュは、どうしてもページ全体を読み込んでしまうため、一度1ページまるごとをバッファした後にシリアルで出力しているようです。
バッファデータの中から該当アドレスの1ビットを読み出すため時間がかかるらしいのです。
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